FQT7N10TF onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FQT7N10TF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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FQT7N10TF
Numéro de produit DigiKey	FQT7N10TFTR-ND - Bande et bobine FQT7N10TFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQT7N10TF
Description	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,7 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	350mohms à 850mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	250 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	FQT7N10