Name: ZXMN10A11GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A11GTR-ND
Price: 1.164 EUR
Availability: InStock

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ZXMN10A11GTA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN10A11GTR-ND - Bande et bobine ZXMN10A11GCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN10A11GTA
Description	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,7 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	350mohms à 2,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	274 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-3
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	ZXMN10