Name: ZXMHC3A01N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3A01N8DITR-ND
Price: 1.668 EUR
Availability: InStock

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ZXMHC3A01N8TC
Numéro de produit DigiKey	ZXMHC3A01N8DITR-ND - Bande et bobine ZXMHC3A01N8DICT-ND - Bande coupée (CT) ZXMHC3A01N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMHC3A01N8TC
Description	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,17 A, 1,64 A 870mW Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N et 2 canaux P (pont complet)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,17 A, 1,64 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	125mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3,9nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	190pF à 25V, 204pF à 15V
Puissance - Max.	870mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	ZXMHC3A01