Name: DMHC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC3025LSD-13DITR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

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DMHC3025LSD-13
Numéro de produit DigiKey	DMHC3025LSD-13DITR-ND - Bande et bobine DMHC3025LSD-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMHC3025LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMHC3025LSD-13
Description	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6 A, 4,2 A 1,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMHC3025LSD-13 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,5W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N et 2 canaux P (pont complet)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A, 4,2 A	Numéro de produit de base DMHC3025
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V