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Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 12,48291 €
Fiche technique
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DMWSH120H28SCT7

Numéro de produit DigiKey
31-DMWSH120H28SCT7-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMWSH120H28SCT7
Description
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 85,5A (Tc) 312W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
28.5mohms à 50A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
3,6V à 17,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
184 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3864 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
312W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263-7
Boîtier
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
5012,48300 €624,15 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:12,48300 €
Prix unitaire avec TVA:14,97960 €