Name: DMWSH120H28SCT7-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SCT7-13TR-ND
Price: 14.97949 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMWSH120H28SCT7-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMWSH120H28SCT7-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMWSH120H28SCT7-13
Description	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 85,5A (Tc) 312W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 17,7mA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 184 nC @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) +19V, -8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3864 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 312W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85,5A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 28.5mohms à 50A, 15V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMWSH120H28SCT7	Diodes Incorporated	0	31-DMWSH120H28SCT7-ND	12,48300 €	Équivalent paramétrique

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Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	12,48291 €	9 986,33 €

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Prix unitaire sans TVA:	12,48291 €
Prix unitaire avec TVA:	14,97949 €

DMWSH120H28SCT7-13