Name: DMTH8008SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008SPSWQ-13TR-ND
Price: 0.47106 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH8008SPSW-13

Diodes Incorporated

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Canal N 80 V 92 A (Tc) 1,6W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type UX)

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DMTH8008SPSWQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH8008SPSWQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH8008SPSWQ-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 92 A (Tc) 1,6W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type UX)
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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1950 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta), 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 92 A (Tc)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,8mohms à 14A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMTH8008SPSW-13	Diodes Incorporated	0	31-DMTH8008SPSW-13TR-ND	0,36229 €	Équivalent paramétrique

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