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DMTH6010LK3Q-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMTH6010LK3Q-13DITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMTH6010LK3Q-13 |
Description | MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 14,8 A (Ta), 70 A (Tc) 31W (Ta) Montage en surface TO-252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41.3 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2090 pF @ 30 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 31W (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier fournisseur TO-252-3 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 20A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD10AN06A0 | onsemi | 3 062 | FDD10AN06A0CT-ND | 2,50000 € | Similaire |
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFR48ZTRLPBFCT-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IXTY90N055T2 | IXYS | 799 | 238-IXTY90N055T2-ND | 3,92000 € | Similaire |
| NVD5C668NLT4G | onsemi | 697 | NVD5C668NLT4GOSCT-ND | 2,47000 € | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,48100 € | 1 202,50 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,48100 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,57720 € |
