Name: DMT10H072LFDFQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H072LFDFQ-13TR-ND
Price: 0.21266 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMT10H072LFDFQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMT10H072LFDFQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H072LFDFQ-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.5 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 228 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 800mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur U-DFN2020-6 (Type F)
Rds On (max.) à Id, Vgs 62mohms à 4,5A, 10V	Boîtier 6-UDFN plot exposé
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DMT10