Name: DMPH6050SFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMPH6050SFGQ-13TR-ND
Price: 1.104 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMPH6050SFGQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMPH6050SFGQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMPH6050SFGQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMPH6050SFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMPH6050SFGQ-13
Description	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 6,1 A (Ta), 18 A (Tc) 1,2W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,1 A (Ta), 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1293 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMPH6050