Name: DMP21D0UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP21D0UFB4-7BDITR-ND
Price: 0.456 EUR
Availability: OutOfStock

DMP21D0UFB4-7B
Numéro de produit DigiKey	DMP21D0UFB4-7BDITR-ND - Bande et bobine DMP21D0UFB4-7BDICT-ND - Bande coupée (CT) DMP21D0UFB4-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP21D0UFB4-7B
Description	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMP21D0UFB4-7B Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	770mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	495mohms à 400mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.54 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	80 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	430mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN1006-3
Boîtier	3-XFDFN
Numéro de produit de base	DMP21

Prix unitaire sans TVA:	0,38000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,45600 €

DMP21D0UFB4-7B