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Rohm Semiconductor
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Fiche technique
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Canal P 20 V 17,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,3W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
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DMP2006UFG-7

Numéro de produit DigiKey
DMP2006UFG-7DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMP2006UFG-7
Description
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 17,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,3W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
17,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,2mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5404 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMP2006
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Obsolète
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