Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 0.324 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMN65D8LFB-7B
Numéro de produit DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Bande et bobine DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Bande coupée (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN65D8LFB-7B
Description	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN65D8LFB-7B Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 25 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 430mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur X1-DFN1006-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 260mA (Ta)	Boîtier 3-UFDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Numéro de produit de base DMN65
Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 115mA, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 0

Vérifier le délai d'approvisionnement

Demande de notification de stock

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine