Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 0.132 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LFB-7B
Numéro de produit DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Bande et bobine DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Bande coupée (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN65D8LFB-7B
Description	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN65D8LFB-7B Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	260mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3ohms à 115mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	25 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	430mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X1-DFN1006-3
Boîtier	3-UFDFN
Numéro de produit de base	DMN65