Name: DMN62D1LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D1LFB-7BDITR-ND
Price: 0.408 EUR
Availability: InStock

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DMN62D1LFB-7B
Numéro de produit DigiKey	DMN62D1LFB-7BDITR-ND - Bande et bobine DMN62D1LFB-7BDICT-ND - Bande coupée (CT) DMN62D1LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN62D1LFB-7B
Description	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN62D1LFB-7B Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 64 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 320mA (Ta)	Boîtier fournisseur X1-DFN1006-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4V	Boîtier 3-UFDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2ohms à 100mA, 4V	Numéro de produit de base DMN62

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