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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
DMN61D8LVTQ-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMN61D8LVTQ-13DI-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMN61D8LVTQ-13 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 630mA 820mW Montage en surface TSOT-26 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1mA |
Fabricant Diodes Incorporated | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,74nC à 5V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12,9pF à 12V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 820mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier fournisseur TSOT-26 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 630mA | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8ohms à 150mA, 5V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | 1 091 | 31-DMN61D8LVT-13CT-ND | 0,71000 € | Équivalent paramétrique |
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | 402 | DMN61D8LVT-7DICT-ND | 0,71000 € | Équivalent paramétrique |
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN61D8LVTQ-7DICT-ND | 0,69000 € | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 000 | 0,14175 € | 1 417,50 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,14175 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,17010 € |
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