Name: DMN61D8LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8LVT-7DITR-ND
Price: 0.804 EUR
Availability: InStock

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DMN61D8LVT-7
Numéro de produit DigiKey	DMN61D8LVT-7DITR-ND - Bande et bobine DMN61D8LVT-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN61D8LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN61D8LVT-7
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 630mA 820mW Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	630mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8ohms à 150mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,74nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	12,9pF à 12V
Puissance - Max.	820mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	TSOT-26
Numéro de produit de base	DMN61

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