Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7BDITR-ND
Price: 0.384 EUR
Availability: InStock

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DMN1150UFB-7B
Numéro de produit DigiKey	DMN1150UFB-7BDITR-ND - Bande et bobine DMN1150UFB-7BDICT-ND - Bande coupée (CT) DMN1150UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN1150UFB-7B
Description	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 1,41 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN1150UFB-7B Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,41 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	106 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X1-DFN1006-3
Boîtier	3-UFDFN
Numéro de produit de base	DMN1150

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