Name: DMN1008UFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN1008UFDFQ-7TR-ND
Price: 0.15361 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN1008UFDFQ-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMN1008UFDFQ-7TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN1008UFDFQ-7
Description	MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 12,2 A (Ta) 700mW Montage en surface U-DFN2020-6 (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23.4 nC @ 8 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 995 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 700mW
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,2 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier fournisseur U-DFN2020-6 (Type F)
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 5A, 4,5V	Boîtier 6-UDFN plot exposé
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA	Numéro de produit de base DMN1008