Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 1.044 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTGD4167CT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGD4167CT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGD4167CT1G
Description	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,6 A, 1,9 A 900mW Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGD4167CT1G Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,5nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 295pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 900mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6 A, 1,9 A	Numéro de produit de base NTGD4167
Rds On (max.) à Id, Vgs 90mohms à 2,6A, 4,5V