Name: DMG4407SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4407SSS-13DITR-ND
Price: 1.032 EUR
Availability: InStock

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DMG4407SSS-13
Numéro de produit DigiKey	DMG4407SSS-13DITR-ND - Bande et bobine DMG4407SSS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG4407SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG4407SSS-13
Description	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 9,9 A (Ta) 1,45W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMG4407SSS-13 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11mohms à 12A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2246 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,45W (Ta)
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	DMG4407

Prix unitaire sans TVA:	0,86000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,03200 €