
AOT15S65L | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 785-1511-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOT15S65L |
Description | MOSFET N-CH 650V 15A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 15 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17.2 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 841 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 290mohms à 7,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R225C7XKSA1-ND | 2,82000 € | Similaire |
| SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-E3-ND | 3,09000 € | Similaire |
| SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-GE3-ND | 3,09000 € | Similaire |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | 3,58000 € | Similaire |
| STP15N65M5 | STMicroelectronics | 817 | 497-12936-5-ND | 2,86000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,72000 € | 3,72 € |
| 10 | 2,44600 € | 24,46 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,72000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4,46400 € |

