Modules d’alimentation IGBT VS-ENQ030L120S, VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U et VS-ETL015Y120H

Les modules d’alimentation IGBT de Vishay associent des IGBT à tranchée ultrarapides, des technologies de diodes HEXFRED® et FRED Pt® haut rendement, ainsi que des thermistances pour une gestion thermique aisée dans des boîtiers simples avec technologie d’insertion en force. Les modules de Vishay Semiconductor offrent des solutions complètes et intégrées pour les onduleurs basés sur les topologies NPC (Neutral Point Clamp) à trois niveaux et les convertisseurs élévateurs SPMP (suivi de point maximal de puissance) entrelacés, à plusieurs canaux.

Grâce à leur conception intégrée, les dispositifs commercialisés aujourd'hui permettent aux concepteurs de réduire les délais de commercialisation et d’améliorer les performances globales du système. Pour les topologies NPC à trois niveaux, le VS-ENQ030L120S fournit une tension de claquage collecteur-émetteur de 1200 V et un courant collecteur nominal de 30 A. Conçus pour les étages d'onduleur à trois niveaux, les VS-ETF075Y60U et VS-ETF150Y65U offrent aux concepteurs un choix de courant collecteur nominal de 75 A et 150 A, avec des tensions de claquage collecteur-émetteur de respectivement 600 V et 650 V. Par ailleurs, ils affichent des performances haute température jusqu'à +175°C. Optimisé pour les convertisseurs élévateurs doubles, le VS-ETL015Y120H de 15 A se caractérise par une tension de claquage collecteur-émetteur de 1200 V, des diodes élévatrices en silicium haut rendement, des diodes en parallèle intégrées de 62 A et des diodes de protection contre les courts-circuits de panneau, la surintensité et les inversions de polarité. Tous les dispositifs présentent une conception modulaire et évolutive pour s’adapter aux applications de niveau de puissance plus élevé

Disponible en boîtiers EMIPAK-1B (VS-ENQ030L120S) et EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U et VS-ETL015Y120H), la technologie d’insertion en force sans soudure des modules d’alimentation permet le montage aisé sur carte CI, tandis qu’un substrat DBC visible permet une faible résistance thermique. Les dispositifs offrent une faible inductance interne et des pertes de commutation réduites, tout en affichant des fréquences de fonctionnement jusqu'à 20 kHz. La configuration optimisée des modules permet de minimiser les paramètres parasites pour de meilleures performances en termes d'interférences électromagnétiques.

Les dispositifs conformes à RoHS sont homologués UL (dossier E78996) (homologation en cours pour le VS-ENQ030L120S). Les modules d’alimentation de Vishay sont conformes aux normes de l’industrie, et il est possible de configurer des solutions personnalisées afin de répondre aux exigences d'applications spécifiques.