
VS-ETF150Y65U | |
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Numéro de produit DigiKey | VS-ETF150Y65U-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | VS-ETF150Y65U |
Description | IGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2B |
Référence client | |
Description détaillée | IGBT Module Trench Inverseur trois niveaux 650 V 142 A 417 W Montage sur châssis EMIPAK-2B |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 µA |
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Capacité d'entrée (Cies) à Vce 6.6 nF @ 30 V |
Conditionnement Plateau | Entrée Standard |
Statut du composant Obsolète | Thermistance CTN Non |
Type d'IGBT Trench | Température de fonctionnement 175°C (TJ) |
Configuration Inverseur trois niveaux | Type de montage Montage sur châssis |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 650 V | Boîtier EMIPAK-2B |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 142 A | Boîtier fournisseur EMIPAK-2B |
Puissance - Max. 417 W | Numéro de produit de base |
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,06V à 15V, 100A |

