Diodes Schottky SiC de troisième génération de 1200 V

Les 16 diodes Schottky de troisième génération en carbure de silicium (SiC) de 1200 V de Vishay présentent une conception MPS (Merged PIN Schottky). Elles associent également une robustesse élevée contre les surtensions avec de faibles charges capacitives, courants de fuite inverses et chutes de tensions directes, afin d'augmenter le rendement et la fiabilité des conceptions d'alimentations à découpage. La structure MPS des diodes, dont la face arrière est amincie grâce à la technologie de recuit laser, réduit la chute de tension directe. Le faible courant de fuite inverse typique de ces dispositifs réduit les pertes par conduction, garantissant ainsi un rendement élevé du système à faibles charges et au ralenti. Pour améliorer encore le rendement, les diodes de troisième génération n'ont pratiquement pas de queue de récupération, contrairement aux diodes ultrarapides.

Ces diodes offrent un redressement de sortie ultra-haute fréquence CC/CC et PFC CA/CC dans les convertisseurs FBPS et LLC pour des applications telles que les onduleurs solaires, les systèmes de stockage d'énergie, les entraînements et outils industriels et les data centers.