Name: VS-3C10ET12T-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Price: 7.596 EUR
Availability: InStock

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VS-3C10ET12T-M3
Numéro de produit DigiKey	112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	VS-3C10ET12T-M3
Description	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 10A Trou traversant TO-220AC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)	10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.5 V @ 10 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	60 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F	38pF à 800V, 1MHz
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,33000 €	6,33 €
50	3,40780 €	170,39 €
100	3,12640 €	312,64 €
500	2,64048 €	1 320,24 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.