Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET basse tension UMOS 11

Les MOSFET basse tension UMOS 11 de Toshiba offrent une commutation efficace, des pertes réduites et une conception plus intelligente

Image des MOSFET basse tension UMOS 11 de ToshibaLe processus UMOS-11 basse tension de Toshiba est conçu pour aider les ingénieurs à répondre aux demandes croissantes en matière de rendement énergétique, de conception compacte et de performances de commutation fiables.

Reposant sur une structure de tranchée améliorée, le processus UMOS 11 offre une résistance RDS(on) inférieure, des valeurs Qoss et QRR réduites, ainsi qu'un meilleur comportement de commutation global, ce qui en fait un choix idéal pour les applications allant des convertisseurs CC/CC et des entraînements de moteurs aux alimentations de serveur et autres alimentations à découpage.

Ce procédé couvrira une grande variété de tensions et de boîtiers, de 40 V à 100 V, dans des boîtiers de 5 mm x 6 mm et de 3 mm x 3 mm.

Fonctionnalités
  • Résistance à l'état passant la plus faible de la gamme : 0,52 mΩ (max.) (VGS = 10 V)
  • Faible valeur RDS(ON) x QOSS et faible valeur RDS(ON) x QRR
  • Rendement élevé dans les alimentations à découpage
  • Tension de seuil stricte pour un fonctionnement fiable
  • Diode haute vitesse intégrée offrant de meilleures pertes de recouvrement inverse
  • Fonctionnement haute température jusqu'à +175°C
Applications
  • Convertisseurs CC/CC
  • Alimentations à découpage (serveurs de data centers, équipements de communication, etc.)
  • Commandes de moteurs
  • Commutation de charge
Ressources

Image des MOSFET basse tension UMOS 11 de Toshiba

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1TPH2R70AR5,LQN-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@19345 - Immédiatement$1.33Afficher les détails
Date de publication : 2025-09-26