FET GaN LMG3522R030

Le FET GaN LMG3522R030 de Texas Instruments comporte un circuit d'attaque intégré et des protections qui ciblent les convertisseurs de puissance à découpage et permettent aux concepteurs d'atteindre des niveaux élevés de rendement et de densité de puissance. Le circuit intégré de puissance intègre un circuit d'attaque en silicium qui permet des vitesses de commutation allant jusqu'à 150 V/ns. La polarisation de grille de précision intégrée de TI se traduit par une aire de sécurité (SOA) de commutation plus élevée que celle des circuits d'attaque de grille discrets en silicium. Cette intégration, associée au boîtier à faible inductance de TI, permet d'obtenir une commutation nette et une oscillation minimale dans les topologies d'alimentation à commutation dure.

L'intensité réglable de l'attaque de grille permet de réguler la vitesse de balayage (20 V/ns à 150 V/ns), ce qui permet de contrôler activement les interférences électromagnétiques et d'optimiser les performances de commutation. Les fonctionnalités avancées de gestion de l'alimentation comprennent la signalisation numérique de la température et une détection des défaillances. La température du FET GaN est signalée par une sortie PWM à rapport cyclique variable, ce qui simplifie la gestion de la charge du dispositif. Les défauts signalés comprennent les problèmes de surchauffe et de surintensité, ainsi que la surveillance du verrouillage en cas de sous-tension (UVLO).