Circuit d'attaque de grille monocanal automobile LMG1025-Q1

Le circuit d'attaque MOSFET de niveau logique et FET GaN à mode d'enrichissement monocanal bas potentiel LMG1025-Q1 de Texas Instruments est conçu pour les applications automobiles à fréquence de commutation élevée. Ce dispositif offre une capacité de largeur d'impulsion étroite, une caractéristique de commutation rapide et une faible distorsion d'impulsion pour améliorer considérablement les performances des convertisseurs de puissance, LiDAR et ToF. La largeur d'impulsion de sortie de 1,25 ns permet des impulsions de diode plus puissantes et sans danger pour les yeux. Ces impulsions, combinées à une distorsion de 300 ns, donnent naissance à des systèmes LiDAR/ToF plus précis et à plus longue portée. Le circuit d'attaque offre un temps de propagation de 2,9 ns qui améliore considérablement le temps de réponse de la boucle de contrôle et les performances globales des convertisseurs de puissance. La sortie divisée permet de régler indépendamment la résistance et la synchronisation d'attaque via des résistances externes entre OUTH, OUTL et la grille FET.

Le circuit d'attaque MOSFET est doté d'un verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et d'une protection contre la surchauffe (OTP) pour garantir que le dispositif n'est pas endommagé en cas de surcharge ou de panne. Le LMG1025-Q1 est disponible dans un boîtier compact, sans sorties, homologué selon la norme automobile AEC-Q100 afin de répondre aux exigences de taille et d'inductance de boucle de grille des applications automobiles à haute fréquence de commutation.