Le LM5113 de Texas Instruments est conçu pour commander des FET au nitrure de gallium (GaN) à enrichissement haut potentiel et bas potentiel dans une configuration en demi-pont ou de type abaisseur synchrone. Le circuit d'attaque haut potentiel flottant est capable de commander un FET GaN à enrichissement haut potentiel fonctionnant jusqu'à 100 V. La tension de polarisation haut potentiel est générée en utilisant une technique d'auto-élévation, et elle est fixée en interne à 5,2 V, ce qui permet d'empêcher la tension de grille de dépasser la tension nominale de grille source maximale du FET GaN à enrichissement. Les entrées du LM5113 sont compatibles avec la logique TTL et peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 14 V, quelle que soit la tension VDD. Le LM5113 présente des sorties de grille divisées, offrant une grande flexibilité pour ajuster la force d'activation et de désactivation de manière indépendante.
En outre, la grande capacité d'absorption du LM5113 permet de maintenir la grille à l'état bas, prévenant l'activation indésirable lors de la commutation. Le LM5113 peut fonctionner jusqu'à plusieurs MHz. Le LM5113 est disponible en boîtier WSON à 10 broches standard et en boîtier DSBGA à 12 bosses. Le boîtier WSON à 10 broches contient un plot exposé pour faciliter la dissipation de puissance. Le boîtier DSBGA offre une empreinte compacte et une inductance de boîtier réduite.
| Fonctionnalités |
|
|
- Entrées logiques TTL haut potentiel et bas potentiel indépendantes
- Courant de crête source/absorbé de 1,2 A / 5 A
- Rail de tension de polarisation flottant haut potentiel fonctionnant jusqu'à 100 VCC
- Fixation de niveau de tension d'alimentation à auto-élévation interne
- Sorties divisées pour force d'activation/de désactivation ajustable
|
|
- Résistance d'excursion basse / d'excursion haute de 0,6 Ω / 2,1 Ω
- Délais de propagation rapides (28 ns typiques)
- Excellente correspondance de délai de propagation (1,5 ns typique)
- Verrouillage en cas de sous-tension du rail d'alimentation
- Faible consommation énergétique
|
| Applications |
|
|
- Convertisseurs push-pull alimentés par courant
- Convertisseurs en demi-pont et en pont complet
- Convertisseurs abaisseurs synchrones
|
|
- Convertisseurs directs à deux commutateurs
- Convertisseurs directs avec verrouillage actif
|
Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
Le LM5113 de Texas Instruments est conçu pour commander des FET au nitrure de gallium (GaN) à enrichissement haut potentiel et bas potentiel dans une configuration en demi-pont ou de type abaisseur synchrone. Le circuit d'attaque haut potentiel flottant est capable de commander un FET GaN à enrichissement haut potentiel fonctionnant jusqu'à 100 V. La tension de polarisation haut potentiel est générée en utilisant une technique d'auto-élévation, et elle est fixée en interne à 5,2 V, ce qui permet d'empêcher la tension de grille de dépasser la tension nominale de grille source maximale du FET GaN à enrichissement. Les entrées du LM5113 sont compatibles avec la logique TTL et peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 14 V, quelle que soit la tension VDD. Le LM5113 présente des sorties de grille divisées, offrant une grande flexibilité pour ajuster la force d'activation et de désactivation de manière indépendante.
France