SMC Diode Solutions

MOSFET de 1200 V en carbure de silicium S2M0080120N

Le MOSFET de SMC Diode Solutions est idéal pour les applications dans des environnements difficiles tels que les onduleurs solaires et les systèmes de stockage d'énergie

Image du MOSFET en carbure de silicium S2M0080120N de SMC Diode SolutionsLe dispositif S2M0080120N de SMC Diode Solutions est un MOSFET de puissance SiC simple, conditionné dans un boîtier SOT-227. Il s'agit d'un MOSFET à canal N haute tension à enrichissement qui présente de très faibles pertes par conduction totales et des caractéristiques de commutation très stables à des températures extrêmes. Le S2M0080120N est idéal pour les applications haute fréquence sensibles à la consommation d'énergie dans des environnements difficiles.

Fonctionnalités
  • Caractéristiques de température positives pour faciliter la mise en parallèle
  • Faible résistance à l'état passant : RDS(ON) de 77 mΩ typ.
  • Vitesse de commutation élevée
  • Faibles pertes de commutation
  • Diode de substrat intrinsèque rapide et robuste
  • Processus de galvanoplastie de l'étain mat
Applications
  • Modules de charge rapide pour véhicules électriques
  • Chargeurs embarqués pour véhicules électriques
  • Onduleurs solaires
  • Alimentations secourues industrielles/en ligne
  • Alimentations à découpage
  • Convertisseurs CC/CC
  • Systèmes de stockage d'énergie

S2M0080120N Silicon Carbide MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VS2M0080120NMOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V27 - Immédiatement$18.58Afficher les détails
Date de publication : 2024-06-03