Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 22.656 EUR
Availability: InStock

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S2M0080120N
Numéro de produit DigiKey	1655-S2M0080120N-ND
Fabricant	SMC Diode Solutions
Numéro de produit du fabricant	S2M0080120N
Description	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 36 A (Tc) 176W (Tc) Montage sur châssis SOT-227
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	SMC Diode Solutions
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1324 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	176W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC