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Conceptions de référence de circuit d'attaque de grille isolé plus FET GaN haute tension

Silicon Labs et Transphorm s'associent pour simplifier le processus d'évaluation de leurs FET GaN haute tension

Image des conceptions de référence FET GaN plus circuit d'attaque de grille isolé de Silicon Labs et TransphormLa technologie d'isolement de Silicon Labs simplifie la conception et offre les meilleures caractéristiques de temporisation, la plus haute fiabilité et les émissions les plus faibles de l'industrie. Les clients s'appuient sur les solutions de Silicon Labs pour atteindre un rendement système supérieur, une meilleure immunité au bruit, une sécurité améliorée et une empreinte réduite. Ces conceptions de référence ont été développées pour être rapidement adoptées par les clients et permettre d'accélérer les délais de commercialisation.

Le partenariat de Silicon Labs avec Transphorm permet aux concepteurs de tirer parti des cartes d'évaluation qui simplifient l'utilisation des FET GaN haute tension. Ces cartes d'évaluation, comprenant une conception de référence complète [PFC Totem-Pole sans pont de 3,3 kW (TDTTP3300-RD)], présentent des attaques de grille intégrées, ainsi que tous les composants et la structure essentiels à des performances de commutation optimum. Ces ressources de conception sont utilisées pour démontrer la technologie et les performances GaN de Transphorm.

Fonctionnalités
  • Haute immunité au bruit : > 200 kV/µs
  • Options à faible UVLO
  • Circuits haut potentiel/bas potentiel ou doubles de définition industrielle
  • Boîtiers compacts LGA/QFN ou SOIC à large fuite en surface (> 8 mm)
  • Broche d'état d'alimentation côté circuit sur côté logique isolé
  • Qualification AEC-Q100
Applications
  • Onduleurs solaires
  • Alimentations pour jeux PC et grand public
  • Alimentations secourues (UPS)
  • Alimentations à découpage
  • Alimentations de centre de données
  • Alimentations industrielles étendues
  • Automobile
    • Chargeurs embarqués (OBC)
    • Convertisseurs CC/CC
    • Onduleurs CA/CC

Silicon Labs Gate Drivers

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponibleAfficher les détails
DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOICSI8230BB-D-ISDGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC15 - ImmédiatementAfficher les détails
DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOICSI8273AB-IS1RDGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC2300 - ImmédiatementAfficher les détails
DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOICSI8230BB-D-IS1DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC1373 - ImmédiatementAfficher les détails
DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOICSI8233BB-D-IS1RDGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC0Afficher les détails

Transphorm Evaluation Platforms

ImageRéférence fabricantDescriptionUsage principalSorties et typeAlimentation - sortieQuantité disponibleAfficher les détails
2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KITTDTTP2500P100-KIT2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KITCA/CC, primaires et PFC1, non isolé2.5kW35 - ImmédiatementAfficher les détails
4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KITTDTTP4000W066B-KIT4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KITCA/CC, primaires et PFC1, non isolé4kW17 - ImmédiatementAfficher les détails
1KW INVERTER EVALUATION KITTDINV1000P100-KIT1KW INVERTER EVALUATION KITConvertisseur DC/AC1, isolé1kW12 - ImmédiatementAfficher les détails
3.0KW INVERTER EVAL KITTDINV3000W050-KIT3.0KW INVERTER EVAL KITConvertisseur DC/AC1, non isolé3kW16 - ImmédiatementAfficher les détails
3.5KW INVERTER EVAL KITTDINV3500P100-KIT3.5KW INVERTER EVAL KITConvertisseur DC/AC1, isolé3.5kW21 - ImmédiatementAfficher les détails
2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITTDHBG2500P100-KIT2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITConvertisseur CC/CC1, non isolé2.5kW50 - ImmédiatementAfficher les détails
2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITTDHBG2500P100-KIT2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITConvertisseur CC/CC1, non isolé2.5kW50 - ImmédiatementAfficher les détails
1.2KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITTDHBG1200DC100-KIT1.2KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITConvertisseur CC/CC1, non isolé1.2kW8 - ImmédiatementAfficher les détails
1.2KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITTDHBG1200DC100-KIT1.2KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITConvertisseur CC/CC1, non isolé1.2kW8 - ImmédiatementAfficher les détails
Date de publication : 2019-07-01