VideoLibrary

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

7/21/2023 3:48:29 PM

Part List

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-30 - Immédiatement$18.92Afficher les détails
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET467 - Immédiatement$27.65Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET611 - Immédiatement$12.39Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN8811169 - Immédiatement$10.42Afficher les détails
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET203 - Immédiatement$11.92Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3450 - Immédiatement$14.63Afficher les détails
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET30 - Immédiatement$17.25Afficher les détails
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-30 - Immédiatement$8.73Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-30 - Immédiatement$19.91Afficher les détails
GAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-2201807 - Immédiatement$6.88Afficher les détails
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET488 - Immédiatement$12.33Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN1131 - Immédiatement$3.49Afficher les détails
GAN FET N-CH 650V PQFNTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN2369 - Immédiatement$4.34Afficher les détails
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FET376 - Immédiatement$5.00Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN9 - Immédiatement$10.06Afficher les détails
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
EVAL BOARD FOR TP65H035WSTDTTP4000W066C-KITEVAL BOARD FOR TP65H035WS5 - Immédiatement$1,265.37Afficher les détails
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Date de publication : 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

Date de publication : 2023-07-21

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions
Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

Date de publication : 2023-05-17

Related Product Highlight

Kits et cartes d'évaluation SuperGaN® Les kits et cartes d'évaluation SuperGaN® de Transphorm offrent une plateforme facile à utiliser pour découvrir les avantages du GaN avec différentes topologies.
FET GaN SuperGaN® 35 mΩ TP65H035G4WS Le FET SuperGaN® de Transphorm offre une conversion de puissance haute tension, haut rendement et haute fiabilité, dans un dispositif facile à manier et certifié JEDEC.
Carte d'évaluation Totem-Pole PFC GaN 2,5 kW TDTTP2500B066B-KIT La carte d'évaluation Totem-Pole PFC GaN 2,5 kW TDTTP2500B066B-KIT de Transphorm convient aux applications telles que les alimentations de centres de données.

Related Articles and Blogs

Les semi-conducteurs à large bande interdite améliorent l'efficacité dans les data centers Étant donné que les data centers ont d'énormes besoins en énergie, des solutions d'alimentation capables de réduire les pertes de puissance, d'augmenter le rendement et d'améliorer le contrôle thermique sont nécessaires.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Concevoir une correction du facteur de puissance plus efficace en utilisant des semi-conducteurs à large bande interdite et la commande numérique Utiliser la commande numérique et des semi-conducteurs de puissance à large bande interdite pour concevoir des circuits de correction du facteur de puissance qui répondent efficacement aux réglementations en vigueur.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.