Chargeurs CC de véhicules électriques
La charge rapide en courant continu des véhicules électriques d'onsemi répond à la croissance du marché des véhicules électriques et stimule les progrès dans plusieurs secteurs, en particulier dans le développement de chargeurs de véhicules électriques. Pour répondre à la demande croissante de véhicules électriques, il est nécessaire de créer des infrastructures de recharge efficaces afin de minimiser l'impact sur l'environnement. Les progrès réalisés dans les configurations, les contrôleurs et les dispositifs d'alimentation facilitent la mise en place de stations de recharge à haute puissance, répondant ainsi aux préoccupations en matière d'autonomie et d'émissions. Grâce à la technologie SiC et à des méthodes de conditionnement innovantes, onsemi rationalise le processus de conception des chargeurs de véhicules électriques. La gamme de solutions analogiques et d'alimentation d'onsemi fournit des composants de qualité supérieure, adaptés à des besoins spécifiques, en s'appuyant sur une vaste expertise pour proposer des solutions complètes pour le marché en constante évolution des véhicules électriques.
Les modules d'alimentation EliteSiC au service de la recharge rapide en courant continu (DCFC) du futur
Capacités de fabrication SiC de bout en bout
- Chargeur CC monophasé pour véhicules électriques (boîtier mural CC)
- Chargeur CC triphasé pour véhicules électriques
- Composants associés
Chargeur CC monophasé pour véhicules électriques (boîtier mural CC)
Produits phares
Chargeur CC triphasé pour véhicules électriques
Produits phares
NTH4L028N170M1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 28 mΩ, 1700 V, M1, TO-247-4L
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NTH4L014N120M3P
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 14 mΩ, 1200 V, M3P, TO-247-4L
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NTHL022N120M3S
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 22 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-3L
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NTH4L040N120M3S
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 40 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-4L
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NTBG070N120M3S
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 65 mΩ, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
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NTBG020N090SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 20 mΩ, 900 V, M2, D2PAK-7L
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NTBG015N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2 D2PAK-7L
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NTBL045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 33 mΩ, 650 V, M2 TOLL
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NTHL045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, TO-247-4L
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NTHL045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 57 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L
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NDSH25170A
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 35 A, 1700 V, D1, TO-247-2L
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FFSH10120A
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-2L
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FFSB20120A
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L
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FFSH30120ADN-F155
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
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FFSH40120ADN
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) – EliteSiC, 40 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
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NDSH50120C
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
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FFSD0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, DPAK
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FFSP0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L
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FFSB0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, D2PAK-2L
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FFSB1065B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, D2PAK-2L
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FGHL50T65LQDT
IGBT FS4 à faible valeur Vce(sat) 650 V et 50 A avec diode co-conditionnée complète, TO-247-3L
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FGHL50T65LQDTL4
IGBT FS4 à faible valeur Vce(sat) 650 V et 50 A avec diode conditionnée complète, TO-247-4L
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FGH4L50T65SQD
IGBT FS4 haute vitesse 650 V 50 A avec diode co-conditionnée, TO-247-4L
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Composants associés
Produits phares
NXH010P120MNF1
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 10 mΩ, M1
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NXH004P120M3F2
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 4 mΩ, M3S
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NXH003P120M3F2
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 3 mΩ, M3S
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NXH020U90MNF2
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, Vienne, MOSFET SiC 900 V 10 mΩ, diode SiC 1200 V
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NXH008T120M3F2PTHG
Modules PIM SiC complets, T-NPC, MOSFET SiC 1200 V 8 mΩ, M3S
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NXH160T120L2Q2F2S1
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 6 mΩ, M1
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NXH006P120MNF2
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 10 mΩ, M1
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NXH004P120M3F2
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 3 mΩ, M3S
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NXH003P120M3F2
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, pont complet, 1200 V, 20 mΩ, M1
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NXH020F120MNF1PG
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, pont complet, 1200 V, 40 mΩ, M1
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NXH040F120MNF1
Modules PIM SiC complets, EliteSiC, pont complet, 1200 V, 40 mΩ, M1
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