Chargeurs CC de véhicules électriques

La charge rapide en courant continu des véhicules électriques d'onsemi répond à la croissance du marché des véhicules électriques et stimule les progrès dans plusieurs secteurs, en particulier dans le développement de chargeurs de véhicules électriques. Pour répondre à la demande croissante de véhicules électriques, il est nécessaire de créer des infrastructures de recharge efficaces afin de minimiser l'impact sur l'environnement. Les progrès réalisés dans les configurations, les contrôleurs et les dispositifs d'alimentation facilitent la mise en place de stations de recharge à haute puissance, répondant ainsi aux préoccupations en matière d'autonomie et d'émissions. Grâce à la technologie SiC et à des méthodes de conditionnement innovantes, onsemi rationalise le processus de conception des chargeurs de véhicules électriques. La gamme de solutions analogiques et d'alimentation d'onsemi fournit des composants de qualité supérieure, adaptés à des besoins spécifiques, en s'appuyant sur une vaste expertise pour proposer des solutions complètes pour le marché en constante évolution des véhicules électriques.

Illustration d'une borne de recharge pour véhicules électriques avec un véhicule en charge
Schéma fonctionnel d'un chargeur CC pour véhicules électriques
Les modules d'alimentation EliteSiC d'onsemi au service de la recharge rapide en courant continu (DCFC) du futur

Les modules d'alimentation EliteSiC au service de la recharge rapide en courant continu (DCFC) du futur

Capacités de fabrication SiC de bout en bout et solutions de la gamme EliteSiC

Capacités de fabrication SiC de bout en bout

  • Chargeur CC monophasé pour véhicules électriques (boîtier mural CC)
  • Chargeur CC triphasé pour véhicules électriques
  • Composants associés

Chargeur CC monophasé pour véhicules électriques (boîtier mural CC)

Produits phares

MOSFET AU CARBURE DE SILICIUM, CANAL N

NTBG015N065SC1

MOSFET AU CARBURE DE SILICIUM, CANAL N

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - 3

NTBL045N065SC1

MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - 3

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MOSFET AU CARBURE DE SILICIUM, CANAL N

NTHL045N065SC1

MOSFET AU CARBURE DE SILICIUM, CANAL N

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - 3

NTMT045N065SC1

MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - 3

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - E

NTHL045N065SC1

MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - E

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DIODE CARB SIL 650 V 9,1 A DPAK

FFSD0665B

DIODE CARB SIL 650 V 9,1 A DPAK

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DIODE CARB SIL 650 V 8 A TO220-2

FFSP0665B

DIODE CARB SIL 650 V 8 A TO220-2

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DIODE CARB SIL 650 V 8 A D2PAK-2

FFSB0665B

DIODE CARB SIL 650 V 8 A D2PAK-2

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DIODE CARB SIL 650 V 11,6 A 4PQFN

FFSM0865B

DIODE CARB SIL 650 V 11,6 A 4PQFN

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DIODE CARB SIL 650 V 27 A D2PAK-2

FFSB1065B

DIODE CARB SIL 650 V 27 A D2PAK-2

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IGBT TRANCHÉES FS 650 V 80 A TO3PF-3

FGAF40S65AQ

IGBT TRANCHÉES FS 650 V 80 A TO3PF-3

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IGBT TRANCHÉES FS 650 V 80 A TO247-3

FGHL50T65LQDT

IGBT TRANCHÉES FS 650 V 80 A TO247-3

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IGBT TRANCHÉES FS 650 V 80 A TO247-4L

FGH4L50T65SQD

IGBT TRANCHÉES FS 650 V 80 A TO247-4L

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IGBT FIELD STOP 650 V 100 A TO247

FGH4L50T65MQDC50

IGBT FIELD STOP 650 V 100 A TO247

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Chargeur CC triphasé pour véhicules électriques

Produits phares

IGBT de module de circuit d'attaque de puissance

FSB50825AS

Module d'alimentation intelligent - SPM5, 250 V, 3,6 A, 0,33 Ω

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IGBT de module de circuit d'attaque de puissance

NFA50460R4B

Module d'alimentation intelligent, 600 V, 4 A, DIP

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MOSFET en carbure de silicium (SiC)

NTH4L028N170M1

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 28 mΩ, 1700 V, M1, TO-247-4L

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MOSFET SIC 1200 V 14 MOHM M3P SE

NTH4L014N120M3P

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 14 mΩ, 1200 V, M3P, TO-247-4L

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) ELI

NTHL022N120M3S

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 22 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-3L

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC)

NTH4L040N120M3S

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 40 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-4L

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - E

NTBG070N120M3S

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 65 mΩ, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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FET SiC

NTBG020N090SC1

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 20 mΩ, 900 V, M2, D2PAK-7L

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MOSFET AU CARBURE DE SILICIUM, CANAL N

NTBG015N065SC1

MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2 D2PAK-7L

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC) - 3

NTBL045N065SC1

MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 33 mΩ, 650 V, M2 TOLL

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MOSFET AU CARBURE DE SILICIUM, CANAL N

NTHL045N065SC1

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, TO-247-4L

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MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM (SIC)

NTHL045N065SC1

MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 57 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L

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DIODE CARB SIL

NDSH25170A

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 35 A, 1700 V, D1, TO-247-2L

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DIODE CARB SIL

FFSH10120A

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-2L

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DIODE SCHOTTKY

FFSB20120A

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L

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MATRICE DIODES SIC

FFSH30120ADN-F155

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L

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Matrice de diodes

FFSH40120ADN

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) – EliteSiC, 40 A, 1200 V, D1, TO-247-3L

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DIODE CARB SIL

NDSH50120C

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

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DIODE CARB SIL

FFSD0665B

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, DPAK

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DIODE CARB SIL

FFSP0665B

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L

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DIODE CARB SIL

FFSB0665B

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, D2PAK-2L

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DIODE CARB SIL

FFSB1065B

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, D2PAK-2L

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IGBT FIELD STOP

FGHL40T120RWD

IGBT FS7 1200 V 40 A, faible Vce(sat), TO-247-3L

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 IGBT FIELD STOP

FGHL60T120RWD

IGBT FS7 1200 V 60 A, faible Vce(sat), TO-247-3L

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IGBT FIELD STOP

FGHL40T120SWD

IGBT FS7 1200 V 60 A, commutation rapide, TO-247-3L

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IGBT FIELD STOP

FGY75T120SWD

IGBT FS7 1200 V 75 A, commutation rapide, TO-247-3L

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IGBT FIELD STOP

FGY140T120SWD

IGBT FS7 1200 V 140 A, commutation rapide, TO-247-3L

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IGBT À TRANCHÉES

FGHL50T65LQDT

IGBT FS4 à faible valeur Vce(sat) 650 V et 50 A avec diode co-conditionnée complète, TO-247-3L

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IGBT À TRANCHÉES FS

FGHL50T65LQDTL4

IGBT FS4 à faible valeur Vce(sat) 650 V et 50 A avec diode conditionnée complète, TO-247-4L

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IGBT À TRANCHÉES FS

FGH4L50T65SQD

IGBT FS4 haute vitesse 650 V 50 A avec diode co-conditionnée, TO-247-4L

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IGBT FIELD STOP

FGH4L50T65MQDC50

IGBT FS4 haute vitesse 650 V 50 A avec diode SiC, TO-247-4L

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Composants associés

Produits phares

MODULES SIC DEMI-PONT

NXH006P120MNF2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 6 mΩ, M1

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MOSFET SIC

NXH010P120MNF1

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 10 mΩ, M1

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ELITESIC

NXH004P120M3F2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 4 mΩ, M3S

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ELITESIC

NXH003P120M3F2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 3 mΩ, M3S

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SiC

NXH020U90MNF2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, Vienne, MOSFET SiC 900 V 10 mΩ, diode SiC 1200 V

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Matrice de Mosfet

NXH008T120M3F2PTHG

Modules PIM SiC complets, T-NPC, MOSFET SiC 1200 V 8 mΩ, M3S

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Matrice de Mosfet

NXH020U90MNF2PTG

IGBT PIM, T-NPC, 1200 V, IGBT 160 A, 650 V, IGBT 100 A, Q1

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Module IGBT à tranchées Field Stop

NXH160T120L2Q1

IGBT PIM, T-NPC, 1200 V, IGBT 160 A, 650 V, IGBT 100 A, Q2

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MODULE D'ALIMENTATION PIM

NXH160T120L2Q2F2S1

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 6 mΩ, M1

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MODULES SIC DEMI-PONT

NXH006P120MNF2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 10 mΩ, M1

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Matrice de Mosfet

NXH004P120M3F2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, demi-pont, 1200 V, 3 mΩ, M3S

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ELITESIC

NXH003P120M3F2

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, pont complet, 1200 V, 20 mΩ, M1

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Matrice de Mosfet

NXH020F120MNF1PG

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, pont complet, 1200 V, 40 mΩ, M1

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Matrice de Mosfet

NXH040F120MNF1

Modules PIM SiC complets, EliteSiC, pont complet, 1200 V, 40 mΩ, M1

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