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Circuit d'attaque IGBT et MOSFET SiC avec sortie de crête de 9 A - IX4351NE
Le dispositif IX4351NE d'IXYS, a Littelfuse technology dispose de fonctions de protection, notamment un verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et une détection de blocage thermique
IXYS, a Littelfuse technology, a conçu un circuit d'attaque destiné à fonctionner spécifiquement avec des MOSFET SiC et des IGBT haute puissance. Des sorties distinctes de 9 A pour la source et la réception permettent d'adapter le temps d'activation et de désactivation tout en minimisant les pertes de commutation. Un régulateur de charge négative interne fournit une polarisation d'attaque de grille négative sélectionnable pour une meilleure immunité dv/dt et une désactivation plus rapide.
Fonctionnalités
- Sorties distinctes de la source et de la réception de 9 A (crête)
- Plage de tensions de fonctionnement : -10 V à +25 V
- Régulateur interne de pompe à charge négative pour une polarisation d'attaque de grille négative sélectionnable
- Détection de désaturation avec circuit d'attaque de réception à arrêt progressif
- Entrée compatible TTL et CMOS
- Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO)
- Blocage thermique
- Sortie FAULT à drain ouvert
SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IX4351NE | IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC | 1066 - Immédiatement | $2.57 | Afficher les détails |
Evaluation Board
| Image | Référence fabricant | Description | Fonction | Embarqué | Attributs primaires | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IX4351-EVAL | EVAL BOARD FOR IX4351 | Circuit d’attaque de porte | - | Isolé | 0 - Immédiatement | $130.93 | Afficher les détails |
Date de mise à jour : 2020-06-03
Date de publication : 2020-01-17
France