GA04JT17-247 Navitas Semiconductor, Inc. | FET, MOSFET simples

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GA04JT17-247
Numéro de produit DigiKey	1913-GA04JT17-247-ND
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	GA04JT17-247
Description	TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Référence client
Description détaillée	1700 V 4 A (Tc) (95°C) 106W (Tc) Trou traversant TO-247AB

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 480mohms à 4 A
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Dissipation de puissance (max.) 106W (Tc)
Conditionnement Tube	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Statut du composant Obsolète	Type de montage Trou traversant
Technologies SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)	Boîtier fournisseur TO-247AB
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Boîtier TO-247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc) (95°C)

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Ressources supplémentaires

Obsolète

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