FET eGaN® Gen 5

L'introduction de la Gen 5 d'EPC est un bond en avant dans un nouvel univers de performances. Cette technologie nouvelle génération permet de réduire la taille des FET eGaN Gen 4 de moitié et de tripler leurs performances. La réduction des coûts et l'amélioration des performances permettent de créer un « cycle vertueux » qui accroît l'écart en termes de coûts et de performances entre les circuits intégrés et les FET eGaN et les MOSFET de puissance vieillissants.

Fonctionnalités

• Empreinte compacte - Gains de performances importants
  • À 100 V, les FET eGaN présentent un avantage multiplié par 4 en termes de R_DS(ON) x surface de la puce par rapport aux MOSFET silicium de pointe
  • À 200 V, cet avantage est multiplié par 16
• Facteur de mérite (FOM) amélioré
  • La dernière génération de FET eGaN offre un avantage multiplié par 4 par rapport au silicium à 100 V et multiplié par 8 à 200 V pour des performances de commutation améliorées dans les applications de conversion de puissance haute fréquence
• Les applications bénéficient des gains de performances
  • Dans un cas d'exemple utilisant l'EPC2045 100 V, une réduction de 30 % de la perte de puissance avec un rendement amélioré de 2,5 points par rapport au meilleur MOSFET comparable a été atteinte dans un circuit de 48 V à 5 V fonctionnant à une fréquence de commutation de 500 kHz