Le transistor de puissance eGaN 100 V EPC2051 d'EPC présente une résistance RDS(on) maximum de 25 mΩ et un courant de sortie pulsé de 37 A pour la conversion de puissance haut rendement dans une empreinte miniature de 1,1 mm2.
Malgré son empreinte compacte, l'EPC2051 atteint un rendement de 97 % à une sortie de 4 A tout en commutant à 500 kHz et en fonctionnant dans un convertisseur abaisseur de 50 V à 12 V. De plus, le faible coût de l'EPC2051 offre les performances des FET GaN à un prix comparable à celui des MOSFET silicium. Les applications bénéficiant de ces performances, du format compact et du faible coût incluent les convertisseurs de puissance d'entrée 48 V pour les systèmes informatiques et de télécommunications, les systèmes LiDAR, l'éclairage LED et l'audio de classe D.
| Fonctionnalités |
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Applications |
- Haut rendement
- Rendement de 97 % à 500 kHz dans la conversion CC/CC
- Empreinte compacte
- Puce passivée à montage en surface BGA extrêmement compacte de 1,30 mm x 0,85 mm à faible inductance
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- Conversion de puissance CC/CC
- LiDAR
- Éclairage LED
- Audio classe D
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Le transistor de puissance eGaN 100 V EPC2051 d'EPC présente une résistance RDS(on) maximum de 25 mΩ et un courant de sortie pulsé de 37 A pour la conversion de puissance haut rendement dans une empreinte miniature de 1,1 mm2.
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