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FET GaN en boîtiers PQFN
Les FET GaN d'EPC offrent des performances exceptionnelles dans des empreintes compactes, idéales pour la conversion de puissance haute densité
Les FET en nitrure de gallium (GaN) en boîtiers PQFN d'EPC offrent des performances exceptionnelles dans des empreintes compactes, idéales pour la conversion de puissance haute densité. Ces dispositifs offrent une ultrafaible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et des pertes de commutation minimales, permettant ainsi un rendement supérieur et des vitesses de commutation plus rapides que les MOSFET en silicium traditionnels.
Avec des tensions nominales allant jusqu'à 200 V et des capacités de courant pulsé dépassant 400 A dans certaines pièces, ces FET GaN sont parfaits pour les applications exigeantes telles que l'entraînement de moteurs, la robotique et le calcul à hautes performances.
Fonctionnalités
- Économies
- Performances supérieures à celles d'un MOSFET
- Plus grande rapidité
- Plus grande compacité
- Courant plus élevé
- Simplicité d'utilisation
- Compatibilité de l'empreinte maximisant la flexibilité de conception
- Excellentes propriétés thermiques
- Dessus exposé
- Ultrafaible résistance thermique
Applications
- Chargeurs CA/CC
- Convertisseurs CC/CC haute fréquence
- Entraînement de moteurs
- MPPT solaire
- Audio de classe D
GaN FETs in PQFN Packages
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2367 | TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 0 - Immédiatement | $5.95 | Afficher les détails |
|  | EPC2302 | TRANS GAN 100V DIE .0018OHM | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 165366 - Immédiatement | $6.93 | Afficher les détails |
|  | EPC2304 | TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 200 V | 0 - Immédiatement | $7.30 | Afficher les détails |
|  | EPC2305 | TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 150 V | 22565 - Immédiatement | $7.12 | Afficher les détails |
|  | EPC2306 | TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 24991 - Immédiatement | $4.40 | Afficher les détails |
|  | EPC2307 | TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 200 V | 7534 - Immédiatement | $4.40 | Afficher les détails |
|  | EPC2308 | TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 150 V | 8832 - Immédiatement | $4.51 | Afficher les détails |
Evaluation Boards
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC90140 | EVAL BOARD FOR EPC2304 | 63 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
|  | EPC90143 | EVAL BOARD FOR EPC2305 | 24 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
|  | EPC90145 | EVAL BOARD FOR EPC2306 | 4 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
|  | EPC90150 | EVAL BOARD FOR EPC2307 | 38 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
|  | EPC90148 | EVAL BOARD FOR EPC2308 | 32 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
|  | EPC90133 | EVAL BOARD FOR EPC2302 | 47 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
|  | EPC90164 | BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367 | 12 - Immédiatement | $170.73 | Afficher les détails |
Date de publication : 2025-04-10
France