FET GaN en boîtiers PQFN

Les FET GaN d'EPC offrent des performances exceptionnelles dans des empreintes compactes, idéales pour la conversion de puissance haute densité

Image des FET GaN en boîtiers PQFN d'EPCLes FET en nitrure de gallium (GaN) en boîtiers PQFN d'EPC offrent des performances exceptionnelles dans des empreintes compactes, idéales pour la conversion de puissance haute densité. Ces dispositifs offrent une ultrafaible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et des pertes de commutation minimales, permettant ainsi un rendement supérieur et des vitesses de commutation plus rapides que les MOSFET en silicium traditionnels.

Avec des tensions nominales allant jusqu'à 200 V et des capacités de courant pulsé dépassant 400 A dans certaines pièces, ces FET GaN sont parfaits pour les applications exigeantes telles que l'entraînement de moteurs, la robotique et le calcul à hautes performances.

Fonctionnalités
  • Économies
  • Performances supérieures à celles d'un MOSFET
    • Plus grande rapidité
    • Plus grande compacité
    • Courant plus élevé
  • Simplicité d'utilisation
    • Compatibilité de l'empreinte maximisant la flexibilité de conception
  • Excellentes propriétés thermiques
    • Dessus exposé
    • Ultrafaible résistance thermique
Applications
  • Chargeurs CA/CC
  • Convertisseurs CC/CC haute fréquence
  • Entraînement de moteurs
  • MPPT solaire
  • Audio de classe D

GaN FETs in PQFN Packages

ImageRéférence fabricantDescriptionType de FETTechnologiesTension drain-source (Vdss)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2025-04-10