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Transistor de puissance eGaN® à mode d'enrichissement EPC2367 de 100 V

Le transistor de puissance eGaN à mode d'enrichissement EPC2367 de 100 V, 101 A d'EPC prend en charge un fonctionnement à fort courant avec une dissipation thermique efficace

Image du transistor de puissance eGaN® à mode d'enrichissement EPC2367 100 V d'EPCLe transistor de puissance eGaN EPC2367 de 100 V à mode d'enrichissement d'EPC est optimisé pour offrir un rendement et une densité de puissance ultra-élevés dans les applications de commutation à haute fréquence. Avec une résistance à l'état passant ultrafaible, un recouvrement inverse nul et un boîtier CSP compact, l'EPC2367 permet des conceptions de puissance plus petites, plus rapides et plus efficaces que les MOSFET en silicium.

Fonctionnalités
  • Transistor de puissance GaN haute tension : transistor FET eGaN à mode d'enrichissement de 100 V, compatible avec un fonctionnement haute fréquence et une réponse transitoire rapide
  • Résistance RDS(on) ultrafaible : 1,2 mΩ typique à VGS = 5 V, minimisant les pertes par conduction
  • Recouvrement inverse nul : élimination des pertes par recouvrement inverse, permettant un rendement plus élevé
  • Charge de grille ultrafaible : commutation rapide et pertes de commutation réduites
  • Boîtier CSP compact : encombrement de 3,3 mm × 3,3 mm pour les conceptions haute densité à espace restreint
  • Excellentes performances thermiques : prise en charge d'un fonctionnement à fort courant avec dissipation thermique efficace
Applications
  • Convertisseurs CC/CC haute fréquence
  • Modules CC/CC à haute densité de puissance
  • Entraînements de moteurs
  • Redressement synchrone

EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor

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TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI18894 - Immédiatement$5.90Afficher les détails
Date de publication : 2026-01-19

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