Convertisseurs abaisseurs synchrones AP6320

Les dispositifs AP63200, AP63201, AP63203 et AP63205 de Diodes sont des convertisseurs abaisseurs synchrones de 2 A avec une large plage de tensions d'entrée allant de 3,8 V à 32 V et prenant en charge des alimentations de 5 V, 12 V et 24 V. Des MOSFET de puissance intégrés haut potentiel de 125 mΩ et bas potentiel de 68 mΩ fournissent une conversion CC/CC de type abaisseur à haut rendement. Les dispositifs AP63200, AP63203 et AP63205 utilisent une modulation de fréquence d'impulsion (PFM) avec un courant de repos ultrafaible de 22 µA, offrant des rendements pouvant atteindre 80 % et 88 % dans des conditions de faible charge de respectivement 1 mA et 5 mA. Les dispositifs AP63203 et AP63205 sont des convertisseurs abaisseurs à sortie fixe, avec une conception optimisée pour réduire les interférences électromagnétiques (EMI). L'AP63201 fonctionne en modulation de largeur d'impulsion (PWM), dans laquelle la fréquence de commutation est relativement fixe, quelle que soit la charge en sortie. Tous les modèles sont optimisés pour réduire les interférences électromagnétiques et utilisent un spectre étalé en fréquence (FSS) avec une gigue de fréquence de commutation de ±6 %, ce qui réduit encore les interférences électromagnétiques. Le schéma de circuit d'attaque de grille breveté, qui réduit l'oscillation des nœuds de commutation sans sacrifier les temps d'activation et de désactivation des MOSFET, apporte d'autres améliorations en matière d'interférences électromagnétiques. Ce dispositif est disponible dans un boîtier TSOT26 extra-plat.

Fonctionnalités

• Tensions V_IN de 3,8 V à 32 V ; résiste à une surtension d'entrée de 40 V 400 ms
• Fonctionne sur toute la plage de tensions des applications d'appareils ménagers, d'électronique grand public et industrielles
• Large plage de tensions de sortie : 0,8 V à près de 100 % de V_IN (mode LDO)
• Le rapport cyclique atteint 100 % et prend essentiellement en charge les fonctionnalités de type LDO
• Courant de repos (I_Q) ultrafaible (22 µA)
• Optimise le rendement à faible charge
• Conçu pour les meilleures performances EMI de sa catégorie
• Résistance à l'oscillation de commutation à un temps de montée de 4 ns ; spectre étalé en fréquence (FSS)
• Conception simple de circuit imprimé : le brochage prend en charge les circuits imprimés monocouches
• Nombre minimal de composants externes, boucles de courant courtes sur la carte à circuit imprimé, atténuant encore les problèmes d'interférences électromagnétiques
• Brochage compatible avec la version 3 A (prévue pour le 2e trimestre de 2019)