Circuit d'attaque de grille simple isolé à vitesse de balayage ajustable ADuM4122

Le circuit d'attaque de grille d'Analog Devices, avec un courant de court-circuit de 3 A (inférieur à 3 Ω), est idéal pour les applications telles que les alimentations à découpage

Image du circuit d'attaque de grille simple isolé ADuM4122 d'Analog DevicesL'ADuM4122 d'Analog Devices est un circuit d'attaque de grille isolé à sortie double en un seul dispositif, qui utilise la technologie iCoupler® pour fournir une isolation de précision, et offre une isolation de 5 kVRMS dans un boîtier SOIC à 8 broches à corps large. Ces composants d'isolation combinent les technologies de transformateur monolithique et CMOS haute vitesse pour fournir des performances supérieures à celles d'alternatives telles que la combinaison de transformateurs d'impulsions et de circuits d'attaque de grille.

L'ADuM4122 fonctionne avec une plage de tensions d'alimentation d'entrée de 3,3 V à 6,5 V, offrant une compatibilité avec les systèmes à plus basse tension. Contrairement aux circuits d'attaque de grille qui utilisent des méthodologies de translation de niveau haute tension, l'ADuM4122 offre une véritable isolation galvanique entre les régions d'entrée et de sortie.

L'ADuM4122 est doté de deux broches de sortie facilitant le contrôle de la vitesse de balayage de deux forces de commande de sortie. La broche VOUT suit la logique de la broche VIN+ tandis que la sortie VOUT_SRC peut être basculée pour suivre la broche VIN+ ou passer à un état de haute impédance (high-Z). Le basculement de la vitesse de balayage est contrôlé par le côté primaire. Le contrôle de la vitesse de balayage peut permettre une atténuation des interférences électromagnétiques (EMI) et un contrôle du dépassement de tension. Un blocage thermique interne définit les sorties à l'état bas si les températures internes de l'ADuM4122 dépassent la température de blocage thermique.

Les circuits d'attaque de grille fournissent un contrôle fiable des caractéristiques de commutation des configurations de transistors MOSFET et IGBT sur une vaste plage de tensions de commutation, permettant un contrôle simple de la vitesse de balayage.

Fonctionnalités
  • Courant de sortie de 2 A par broche de sortie (RDS(ON)_X < 3 Ω )
  • Courant de court-circuit de 3 A crête
  • VDD1 de 3,3 V à 6,5 V
  • VDD2 de 4,5 V à 35 V
  • Seuil de transition positive, UVLO à VDD1 de 3,3 V
  • Plusieurs seuils de transition positive, options UVLO sur VDD2 :
    • Grade A : seuil de transition positive de 4,4 V (typ.), UVLO
    • Grade B : seuil de transition positive de 7,3 V (typ.), UVLO
    • Grade C : seuil de transition positive de 11,3 V (typ.), UVLO
  • Caractéristiques de temporisation précises :
    • Temps de propagation de 48 ns (max.) pour le front de descente
  • Boîtier SOIC_IC à 8 broches à corps large
  • Niveaux logiques d'entrée CMOS
  • Haute immunité aux transitoires de mode commun : > 150 kV/µs
  • Température de fonctionnement de jonction élevée : +125°C
  • Sortie à l'état bas par défaut
  • Contrôle de la vitesse de balayage sélectionnable
  • Homologations en matière de sécurité et de réglementation (en attente) :
    • Classification UL selon UL 1577 :
      • 5 kVRMS pendant 1 minute
    • Avis d'acceptation des composants CSA 5A
    • Certificat VDE de conformité (en attente) :
      • DIN V VDE V 0884-10
      • VIORM : 849 V crête
Applications
  • Alimentations à découpage
  • Circuits d'attaque de grille IGBT et MOSFET isolés
  • Onduleurs industriels

Evaluation Board

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Date de publication : 2019-06-11