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Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,03000 1,03 €
10 0,83700 8,37 €
25 0,82200 20,55 €
100 0,65130 65,13 €
500 0,55210 276,05 €
1 000 0,44974 449,74 €
2 500 0,42338 1.058,45 €
5 000 0,40322 2.016,09 €
9 000 0,38917 3.502,55 €

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IRF830PBF

Fiche technique
Référence Digi-Key IRF830PBF-ND
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Fabricant

Vishay Siliconix

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Référence fabricant IRF830PBF
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Description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Description détaillée

Canal N 500V 4,5 A (Tc) 74W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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Référence client
Documents et supports
Fiches techniques IRF830PBF
Autre(s) document(s) connexe(s) Packaging Information
Conception/spécification PCN Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
Fiche technique HTML Packaging Information
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Vishay Siliconix
Série -
Conditionnement Tube 
Statut de la pièce Actif
Type de FET Canal N
Technologies MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5Ohms à 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38nC @ 10V
Vgs (max.) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 610pF @ 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max.) 74W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
Numéro de référence de base IRF830
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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