EPC

- EPC est un leader en matière de dispositifs de gestion de l'alimentation basés sur le nitrure de gallium à enrichissement. EPC a été le premier à introduire les transistors FET au nitrure de gallium à enrichissement sur silicium (eGaN®) en remplacement des MOSFET de puissance dans les applications telles que les convertisseurs CC/CC, le transfert de puissance sans fil, le suivi d'enveloppes, la transmission RF, les onduleurs de puissance, la technologie de détection à distance (LiDAR) et les amplificateurs audio de classe D avec des performances bien supérieures à celles des meilleurs MOSFET de puissance silicium.

GaN pour LiDAR

Image de GaN pour LiDAR d'EPC

Alex Lidow d'EPC explique pourquoi les circuits intégrés et les FET eGaN sont excellents pour alimenter les lasers LiDAR et pourquoi les unités rotatives et statiques peuvent jouer un rôle dans les véhicules autonomes, la robotique et les drones. En savoir plus

Circuits intégrés GaN

Image des circuits d'attaque de grille eGaN plus FET d'EPC

Les transistors de puissance avec technologie eGaN peuvent commuter en une nanoseconde ou moins. Comme l'explique Alex Lidow d'EPC, la combinaison du circuit d'attaque de grille eGaN sur la même puce que le transistor de puissance simplifie la conception et réduit les coûts de l'électronique de puissance. En savoir plus

CC/CC 48 V – 12 V avec GaN, plus efficace, compact et économique

Image de la conversion CC/CC d'EPC

La carte de développement EPC9130 d'EPC présente un convertisseur de bus intermédiaire (IBC) à 5 phases, avec une fréquence de commutation de 500 kHz, une tension d'entrée nominale de 48 V et un courant de sortie maximum de 60 A, avec microcontrôleur et circuits d'attaque de grille embarqués et transistor à effet de champ à enrichissement (eGaN®) 100 V EPC2045. En savoir plus

Produits phares

Image des circuits intégrés eGaN EPC2112 et EPC2115 d'EPC

Circuits intégrés eGaN® EPC2112/EPC2115

Les circuits intégrés eGaN® EPC2112/EPC2115 d'EPC combinent des circuits d'attaque de grille avec des FET GaN haute fréquence pour un rendement amélioré, un format réduit et un coût inférieur. En savoir plus

Image du module de puissance GaN EPC9205 d'EPC

Module de puissance GaN EPC9205

Le module de puissance GaN EPC9205 d'EPC est conçu pour l'évaluation plug-and-play des hautes performances acquises avec les circuits intégrés de puissance au nitrure de gallium. En savoir plus

Newest Products Tout afficher (46)

FET eGaN® 80 V qualifié automobile EPC2214

L'EPC2214 d'EPC est un FET eGaN de 80 V, 20 mΩ, avec un courant pulsé nominal de 47 A et une empreinte miniature de 1,8 mm x 1,8 mm. En savoir plus

Applications automobiles GaN

Les transistors de puissance à mode d'enrichissement GaN automobiles d'EPC tirent pleinement parti du rendement amélioré, de la vitesse, du format plus petit et du coût plus bas des dispositifs eGaN®. En savoir plus

Cartes de démonstration LiDAR EPC9126/EPC9126HC

Les cartes de développement EPC9126 et EPC9126HC d'EPC sont conçues principalement pour commander des diodes laser avec impulsions à fort courant avec des largeurs d'impulsions totales de seulement 5 ns (10 % de crête). En savoir plus

100V Gen 5 Family

The latest generation of 100 V GaN devices increase the efficiency, shrink the size, and reduce system cost for 48 V power conversion. En savoir plus

Transistors EPC2100 et carte de développement EPC9036

Les dispositifs monolithiques en demi-pont d'EPC permettent des gains d'espace, améliorent le rendement et réduisent les coûts système. En savoir plus

FET eGaN® haute puissance

La nouvelle gamme de FET eGaN permet de réduire la résistance de moitié, pour des applications à fort courant et à haute densité de puissance. En savoir plus

Recent PTMs Tout afficher (10)

eGaN® FET Reliability Date de mise à jour : 2016-03-30

Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.

Duration: 5 minutes
eGaN-based Eighth Brick Converter Date de publication : 2015-08-24

Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter

Duration: 5 minutes
eGaN Integrated GaN Power Date de publication : 2015-06-19

eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

Duration: 5 minutes
Driving eGaN FETs with the LM5113 Date de publication : 2012-10-16

The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

Duration: 15 minutes

Featured Videos Tout afficher (53)

EPC's Alex Lidow shows off their latest wide-bandgap solutions at APEC

In this video, EPC CEO Alex Lidow talks to Embedded Computing Design’s Alix Paultre at the APEC exhibition in Anaheim, California. The various design-ins shown underscore the advantages GaN-based devices can provide a power system.

PSDtv - EPC on Why Silicon is Dead at APEC 2019

In this episode of PSDtv Alex Lidow, Chief Executive Officer and Co-Founder of Efficient Power Conversion (EPC) is at APEC 2019 in Anaheim an Discusses why their GaN on Silicon devices make Silicon now dead.

APEC 2017 Applications for GaN

In this video, Alex Lidow, CEO, takes a “walk through our booth,” showing eGaN FETs and ICs in a wide range of applications including EPC’s latest generation FETs for DC-DC conversion.

300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart Desk at CES 2018

A world with no power cords where you have the ability to place whatever you need on a single surface to charge AND power is here today!

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