T9MOSFETs-LG

Automotive Trench 9 MOSFETs

Nexperia

This presentation will explain the benefits of the Trench 9 technology including the product power density, surviving application fault tolerance, and improving efficiency of MOSFETs in parallel in high power applications.

Related Parts

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56BUK7J1R4-40HXMOSFET N-CH 40V 190A LFPAK561499 - Immédiatement$4.07Afficher les détails
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y1R7-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561475 - Immédiatement$2.21Afficher les détails
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561235 - Immédiatement$3.12Afficher les détails
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561400 - Immédiatement$1.93Afficher les détails
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK5650 - Immédiatement$1.65Afficher les détails
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561056 - Immédiatement$2.13Afficher les détails
PTM Published on: 2018-03-01

Related Videos

New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)
New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)

Date de publication : 2017-11-20

Related Product Highlight

MOSFET de qualité automobile LFPAK88 Les MOSFET de qualité automobile LFPAK88 de Nexperia, dont l'empreinte est de 8 mm x 8 mm, possèdent une conception de boîtier avancée dépassant deux fois la norme AEC-Q101.
MOSFET de qualité automobile Trench 9 Les MOSFET de puissance Trench 9 de Nexperia associent la technologie de superjonction basse tension à des capacités de conditionnement avancées pour offrir des performances et une robustesse élevées.
MOSFET Trench 9 40 V Les MOSFET de puissance Trench 9 de Nexperia associent une technologie à superjonction basse tension et une capacité de conditionnement de pointe.

Related Articles and Blogs

Optimiser la densité de puissance et les performances dans les applications de convertisseurs à découpage avec des MOSFET doubles Considérations relatives à la conception thermique de circuits imprimés, à la simulation électrothermique et à l'analyse des pertes pour une densité de puissance et des performances optimales des MOSFET.