Canal N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montage en surface PMPAK® 5 x 6
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Canal N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montage en surface PMPAK® 5 x 6
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP8NA2R2CXT

Numéro de produit DigiKey
5048-XP8NA2R2CXTTR-ND - Bande et bobine
5048-XP8NA2R2CXTCT-ND - Bande coupée (CT)
5048-XP8NA2R2CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant
XP8NA2R2CXT
Description
MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montage en surface PMPAK® 5 x 6
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
YAGEO XSEMI
Série
XP8NA2R2C
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
35A (Ta), 168A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
179 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
9328 pF @ 60 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 113,6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PMPAK® 5 x 6
Boîtier
8-PowerLDFN
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En stock: 1 000
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
12,33000 €2,33 €
101,49800 €14,98 €
1001,02600 €102,60 €
5000,82392 €411,96 €
1 0000,76606 €766,06 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,63229 €1 896,87 €
6 0000,62587 €3 755,22 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:2,33000 €
Prix unitaire avec TVA:2,79600 €