Canal N 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-251S
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Canal N 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-251S
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP83T03GJB

Numéro de produit DigiKey
5048-XP83T03GJB-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
XP83T03GJB
Description
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-251S
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
34 nC @ 4.5 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1840 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Boîtier fournisseur
TO-251S
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
6mohms à 40A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Obsolète
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