Name: XP3N2R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N2R8AMTTR-ND
Price: 1.02 EUR
Availability: InStock

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XP3N2R8AMT
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3N2R8AMTTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3N2R8AMTCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3N2R8AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3N2R8AMT
Description	MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 32,8A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface 8-PMPAK (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 20A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série XP3N2R8A	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4080 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 50W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32,8A (Ta), 60A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-PMPAK (5x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerLDFN