
C3M0120065J | |
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Numéro de produit DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | C3M0120065J |
Description | 650V 120M SIC MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | C3M0120065J Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 157mohms à 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,6V à 1,86mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26 nC @ 15 V | |
Vgs (max.) | +19V, -8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 640 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 86W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263-7 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 8,10000 € | 8,10 € |
| 10 | 6,29200 € | 62,92 € |
| 50 | 5,57040 € | 278,52 € |
| 100 | 5,34680 € | 534,68 € |
| 250 | 5,11072 € | 1 277,68 € |
| 500 | 4,96852 € | 2 484,26 € |
| 1 000 | 4,85143 € | 4 851,43 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 8,10000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 9,72000 € |

