Équivalent paramétrique
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Équivalent paramétrique



WNSC2D1012006Q | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1740-WNSC2D1012006Q-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | WNSC2D1012006Q |
Description | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1200 V 10A Trou traversant TO-220AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 50 µA @ 1200 V |
Conditionnement Tube | Capacité à Vr, F 481pF à 1V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1200 V | Boîtier fournisseur TO-220AC |
Courant - Moyen redressé (Io) 10A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.6 V @ 10 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| UJ3D1210TS | onsemi | 9 401 | 5556-UJ3D1210TS-ND | 137,92000 € | Équivalent paramétrique |
| VS-4C10ET12T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 910 | 112-VS-4C10ET12T-M3-ND | 85,90000 € | Équivalent paramétrique |
| VS-4C10ET12THM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 998 | 112-VS-4C10ET12THM3-ND | 95,06000 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,54291 € | 1 628,73 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,54291 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,65149 € |



